N,N,N′,N′-Tetrakis butossimetil urea CAS 43539-97-1 – Reticolante Ultra Puro per Litografia Avanzata

Specifiche di N,N,N′,N′-tetrakis(butossimetil)urea CAS 3089-11-0

Specifica 1: Purezza ≥99,5%, impurezze metalliche totali ≤500 ppb

Specifica 2: Purezza ≥99,9%, singola impurezza metallica ≤10 ppb

Name	N,N,N′,N′-tetrakis(butossimetil)urea
Numero CAS	43539-97-1
Formula molecolare	C₂₁H₄₄N₂O₅
Formula strutturale
Applicazioni	Materiali semiconduttori, fotoresist, ArF, KrF
Purezza	Grado 1: Purezza ≥99,5%, impurezze totali ≤500 ppb Grado 2: Purezza ≥99,9%, singola impurezza metallica ≤10 ppb
Specifiche di imballaggio	20 kg/fusto, 25 kg/fusto

Applicazioni diN,N,N′,N′-tetrakis(butossimetil)urea CAS 3089-11-0

Nella microelettronica dei semiconduttori, agisce come reticolante centrale proprietario per i fotoresist di fascia alta e la litografia ArF e KrF ultra fine, caratterizzato da residui ultra-bassi di metalli in tracce.

FAQ

D1: Quanto sono basse le impurezze metalliche per i fotoresist avanzati?

R: La specifica di livello superiore raggiunge una singola impurezza metallica ≤10 ppb e impurezze totali ≤500 ppb.

D2: Quali formati di contenitore sono disponibili?

R: Fusti elettronici ultrapuliti dedicati da 20 kg e 25 kg.

D3: Potete allegare un rapporto ICP-MS completo di analisi elementare?

R: Le spedizioni di grado elettronico includono un rapporto ICP-MS completo sugli elementi in tracce.